Samsung начала производство 8-гигабайтной памяти High Bandwidth Memory-2

Samsung Electronics объявила о начале серийного производства 2 поколения 8-гигабайтной (ГБ) памяти High Bandwidth Memory-2 (HBM2), которая демонстрирует самую высокую скорость передачи данных среди решений, доступных сегодня на рынке. Новое решение Aquabolt, которое является первой в отрасли памятью HBM2 со скоростью передачи данных на контакт 2,4 Гбит/с, должно ускорить расширение рынка супервычислений и видеокарт. «Благодаря производству первой памяти 2,4 Гбит/с 8 ГБ HBM2 мы еще больше укрепляем свое технологическое лидерство и повышаем свою конкурентоспособность на рынке, — сказал Джесу Хан, исполнительный вице-президент, подразделение продаж и маркетинга решений памяти, Samsung Electronics. — Мы будем продолжать укреплять свое положение на рынке DRAM, обеспечивая поставки памяти HBM2 по всему миру с учетом ожидаемых сроков запуска систем нового поколения нашими клиентами». Новая память 8 ГБ HBM2 от Samsung обеспечивает высокий уровень производительности DRAM при скорости 2,4 Гбит/с с напряжением 1,2 В. Таким образом, показатели производительности выросли почти на 50% на каждый пакет по сравнению с пакетом 8 ГБ HBM2 1-го поколения компании, который обеспечивает скорость на контакт 1,6 Гбит/с при напряжении 1,2 В и 2,0 Гбит/с при напряжении 1,35 В. Благодаря этим усовершенствованиям один пакет Samsung 8 ГБ HBM2 обеспечивает пропускную способность 307 ГБ/с, что в 9,6 раза быстрее, чем у 8-гигабитного (Гб) чипа GDDR5, который обеспечивает пропускную способность передачи данных 32 ГБ/с. При использовании четырех новых пакетов HBM2 в системе можно обеспечить пропускную способность 1,2 ТБ/с, что увеличит общую производительность системы на 50% по сравнению с системой на основе памяти 1,6 Гбит/с HBM2. Samsung будет продолжать предлагать современные решения HBM2, которые будут замещать память 1 поколения HBM2 Flarebolt и память 2 поколения Aquabolt, в то время как рынок будет увеличиваться в течение нескольких следующих лет. Чтобы обеспечить производительность решения Aquabolt, компания Samsung применила новые технологии, связанные с проектированием TSV и температурным контролем. Один пакет 8 ГБ HBM2 состоит из восьми кристаллов 8 Гб HBM2, которые вертикально соединены между собой с помощью более чем 5000 отверстий TSV на кристалл. Так как использование такого большого количества отверстий TSV может привести к побочному фазовому сдвигу, компании Samsung удалось минимизировать сдвиг на очень низком уровне и при этом значительно повысить производительность чипа. Samsung увеличила количество термальных выступов между кристаллами HBM2, что позволяет лучше контролировать температуру каждого пакета. Также новая память HBM2 включает дополнительный защитный слой cнизу, что повышает общую физическую прочность пакета. Ориентируясь на растущий спрос на высокопроизводительную память HBM2 DRAM, компания Samsung будет поставлять память Aquabolt своим международным ИТ-клиентам в соответствии со стабильным графиком и будет продолжать быстро совершенствовать свою технологию памяти в сотрудничестве с ведущими ОЕМ-производителями в различных сферах, включая супервычисления, искусственный интеллект и графические вычисления. Ссылка на источник